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ABB IGCT晶闸管5SHY 35L4520
Asymmetric Integrated GateCommutated Thyristor5SHY 35L4520VDRM = 4500 VITGQM = 4000 AITSM = 32103 AV(T0) = 1.4 VrT = 0.3
2024-12-16 14:12
[湖北武汉市]
武汉科美芯电气有限公司
[未核实]
面议
ABB IGCT晶闸管5SHX 36L4521
Reverse Conducting IntegratedGate-Commutated Thyristor5SHX 36L4521PreliminaryVDRM = 4500 VITGQM = 3600 AITSM = 20.0103 A
2024-12-16 14:11
[湖北武汉市]
武汉科美芯电气有限公司
[未核实]
面议
ABB IGCT晶闸管5SHX 36L4520
Reverse Conducting IntegratedGate-Commutated Thyristor5SHX 36L4520PreliminaryVDRM = 4500 VITGQM = 3600 AITSM = 15.0103 A
2024-12-16 14:10
[湖北武汉市]
武汉科美芯电气有限公司
[未核实]
面议
ABB IGCT模块5SHX 26L4520
VDRM = 4500 VReverse Conducting IntegratedGate-Commutated Thyristor5SHX 26L4520ITGQM = 2200 AITSM = 17103 AVT0 = 1.8 VrT
2024-12-16 14:10
[湖北武汉市]
武汉科美芯电气有限公司
[未核实]
面议
SiC MOS P3M06060T3
SiC MOS P3M06060T3N-Channel Enhancement ModeFeaturesQualified to AEC-Q101High Blocking Voltage with Low On-ResistanceHig
2024-12-09 13:39
[湖北武汉市]
武汉科美芯电气有限公司
[未核实]
面议
SiC MOS P3M06060K4
SiC MOS P3M06060K4N-Channel Enhancement ModeFeaturesQualified to AEC-Q101High Blocking Voltage with Low On-ResistanceHig
2024-12-09 13:37
[湖北武汉市]
武汉科美芯电气有限公司
[未核实]
面议
SiC MOS P3M06060K3
SiC MOS P3M06060K3N-Channel Enhancement ModeFeaturesQualified to AEC-Q101High Blocking Voltage with Low On-ResistanceHig
2024-12-09 13:35
[湖北武汉市]
武汉科美芯电气有限公司
[未核实]
面议
SiC MOS P3M06060G7
SiC MOS P3M06060G7N-Channel Enhancement ModeFeaturesQualified to AEC-Q101High Blocking Voltage with Low On-ResistanceHig
2024-12-09 13:26
[湖北武汉市]
武汉科美芯电气有限公司
[未核实]
面议
SiC MOS P3M06060BD
SiC MOS P3M06060BDSiC MOS P3M06060BDN-Channel Enhancement ModeFeaturesQualified to AEC-Q101High Blocking Voltage with Lo
2024-12-09 13:24
[湖北武汉市]
武汉科美芯电气有限公司
[未核实]
面议
SiC MOS P3M06040K4
SiC MOS P3M06040K4N-Channel Enhancement ModeFeaturesQualified to AEC-Q101High Blocking Voltage with Low On-ResistanceHig
2024-12-06 10:00
[湖北武汉市]
武汉科美芯电气有限公司
[未核实]
面议
SiC MOS P3M06040BD
SiC MOS P3M06040BDN-Channel Enhancement ModeFeaturesQualified to AEC-Q101High Blocking Voltage with Low On-ResistanceHig
2024-12-06 09:59
[湖北武汉市]
武汉科美芯电气有限公司
[未核实]
面议
SiC MOS P3M06025K4
SiC MOS P3M06025K4N-Channel Enhancement ModeFeaturesQualified to AEC-Q101High Blocking Voltage with Low On-ResistanceHig
2024-12-06 09:57
[湖北武汉市]
武汉科美芯电气有限公司
[未核实]
面议
SiC MOS P3M06025K3
SiC MOS P3M06025K3SiC MOS P3M06025K3N-Channel Enhancement ModeFeaturesQualified to AEC-Q101High Blocking Voltage with Lo
2024-12-06 09:55
[湖北武汉市]
武汉科美芯电气有限公司
[未核实]
面议
SIC MOS管P3M06025BD
SiC MOS P3M06025BDN-Channel Enhancement ModeFeaturesHigh Blocking Voltage with Low On-ResistanceHigh-Frequency Operation
2024-12-06 09:53
[湖北武汉市]
武汉科美芯电气有限公司
[未核实]
面议
ABB PCT晶闸管5STP 27N8500
Phase Control Thyristor5STP 27N8500VDRM=8500 VIT(A V)M=2660 AIT(RMS)=4180 AITSM= 64.0103AVT0=1.13 VrT=0.394 mPatented
2024-10-24 16:19
[湖北武汉市]
武汉科美芯电气有限公司
[未核实]
面议
ABB PCT晶闸管5STP 48Y7200
Phase Control Thyristor5STP 48Y7200VDRM = 7200 VIT(A V)M = 5040 AIT(RMS) = 7910 AITSM = 92.0103 AVT0 = 0.983 VrT = 0.128
2024-10-24 16:18
[湖北武汉市]
武汉科美芯电气有限公司
[未核实]
面议
ABB PCT晶闸管5STP 42U6500
Phase Control Thyristor5STP 42U6500VDRM = 6500 VIT(A V)M = 4300 AIT(RMS) = 6750 AITSM = 86.0103 AVT0 = 1.17 VrT = 0.181
2024-10-24 16:16
[湖北武汉市]
武汉科美芯电气有限公司
[未核实]
面议
ABB PCT晶闸管5STP 40x6500
5STP 40x6500Phase Control ThyristorVDRM = 6500 VITM = 3780 AIT(RMS) = 5930 AITSM = 65.0103 AVT0 = 1.14 VrT = 0.259
2024-10-24 16:13
[湖北武汉市]
武汉科美芯电气有限公司
[未核实]
面议
ABB PCT晶闸管5STP 26N6500
Phase Control Thyristor5STP 26N6500VDRM = 6500 VIT(A V)M = 2880 AIT(RMS) = 4520 AITSM = 65.0103 AVT0 = 1.12 VrT = 0.290
2024-10-24 16:08
[湖北武汉市]
武汉科美芯电气有限公司
[未核实]
面议
ABB PCT晶闸管5STP 18M6500
Phase Control Thyristor5STP 18M6500VDRM = 6500 VIT(A V)M = 1830 AIT(RMS) = 2870 AITSM = 47.5103 AVT0 = 1.21 VrT = 0.431
2024-10-23 16:18
[湖北武汉市]
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