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5STP 04D5200
VDRM = 5200 V
IT(A V)M = 420 A
IT(RMS) = 650 A
ITSM = 6.1·103 A
VT0 = 1.29 V
rT = 1.917 mΩ
Doc. No. 5SYA1026-08 May. 20
• Patented free-floating silicon technology
• Low on-state and switching losses
• Designed for traction, energy and industrial applications
• Optimum power handling capability
• Interdigitated amplifying gate
原文链接：http://www.56zbw.cn/chanpin/show-250003.html，转载和复制请保留此链接。
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